DDR-II SDRAM von Infineon

Hersteller zeigt erstes 110nm Silizium von DDR-Speicher der 2. Generation

Chiphersteller Infineon Technologies AG hat gestern über die Entwicklung verschiedener Speicherprodukte informiert. Dazu gehört auch, dass das Münchner Unternehmen mittlerweile die ersten DDR-II SDRAM Bausteine gefertigt hat. Der Double Data Rate Speicher der zweiten Generation benötigt weniger Spannung und erlaubt höhere Taktfrequenzen, allerdings auf Kosten größerer Latenzzeiten.

Anzeige
Die jetzt von Infineon als Muster produzierten DDR-II Chips basieren schon auf dem 110nm Fertigungsprozess. Der Hersteller erwartet, dass DDR-II Komponenten im nächsten Jahr auf den Markt kommen werden. Anfangs rechnet man mit Datenübertragungsraten von 400, 533 und 677 Mbit/s (DDR400, DDR533, DDR667). Ein DDR-II Speichermodul mit 533Mbit/s bietet eine Bandbreite von 4.3 GB/s. Aufgrund der bereits erwähnten höheren Latencies dürfte DDR-II SDRAM bei gleichem Takt aber etwas langsamer sein als DDR-I SDRAM Module.

Quelle: SiliconStrategies.com

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert