Spansion Flash-Speicher gehen mit der Bemusterung des weltweit ersten 512-MBit-NOR-Flash-Speichers in Führungsposition

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Sunnyvale, Kalifornien, 10. September 2003 – Der weltweit erste 512-

MBit-Flash-Speicherbaustein in NOR-Architektur wurde heute von FASL
LLC, einem Joint Venture zwischen AMD (NYSE: AMD) und Fujitsu
(TSE: 6702), vorgestellt. Der Baustein mit der Bezeichnung S29GL512N
ist der erste Spansion Flash-Speicher, der in der 130/110-nm-
MirrorBit™-Prozeßtechnologie der zweiten Generation produziert wird
und als hochintegrierte Einchip-Lösung in zahlreichen Anwendungen für
Embedded- und Wireless-Märkte zum Einsatz kommt. Muster des
S29GL512N sind ab sofort verfügbar.

“Vor knapp zwei Monaten haben wir den Markennamen Spansion als
dominanten Mitspieler auf dem Markt für Flash-Speicher eingeführt,” so
Dr. Bertrand Cambou, Präsident und CEO von FASL LLC. “Die heutige
Markteinführung des NOR-Flash-Speichers mit der branchenweit
höchsten Integrationsdichte, der in der 130-nm-MirrorBit-Technologie mit
2 Bits pro Zelle produziert wird, unterstreicht die Führungsposition der
Spansion Flash-Speicher-Technologie und Innovation.”

“Der Spansion-Baustein S29GL512N wurde entwickelt, um die
wichtigsten technischen und kommerziellen Herausforderungen unserer
Kunden zu überwinden,” so Ian Williams, FASL LLC Vice President of
Worldwide Customer Operations. “Kunden, die in unserer 130/110-nm-
MirrorBit-Technologie hergestellte Spansion Flash-Speicher-Lösungen
einsetzen, ermöglichen wir bahnbrechende Entwicklungen bei Wireless
Handheld-Geräten, in der Automobilelektronik sowie in anderen
Bereichen. Unser Ziel besteht darin, Kunden wichtige
Wettbewerbsvorteile zu verschaffen und ihnen zu ermöglichen, ihre
Produkte mit wertvollen Alleinstellungsmerkmalen auszustatten.”

Bausteinvorteile und -eigenschaften
Wettbewerbsfähige Kostenstruktur
Bei Spansion Flash-Speichern, die in MirrorBit-Technologie gefertigt
werden, lassen sich die Die-Abmessungen signifikant reduzieren und die
Anzahl der erforderlichen Wafer-Produktionsschritte verringern. Als
Ergebnis des erhöhten Produktionsdurchsatzes lassen sich bei der
Herstellung von Spansion Flash-Speicher-Lösungen in MirrorBit-
Technologie gegenüber der Multi-Level-Cell-Architektur (MLC)
Kostenvorteile bei allen Halbleitergeometrien erzielen. Speziell bei
Spansion Flash-Speicher-Lösungen mit Strukturen von 130/110 nm
lassen sich im Vergleich zu geplanten 90-nm-MLC-Lösungen oder zur
geplanten 65-nm-Single-Bit-Floating-Gate Flash-Technologie ähnliche
oder bessere Kostenstrukturen erzielen.

Vorteile von NOR- gegenüber NAND-Flash-Speichern
Mit dem Spansion-Flash-Speicher S29GL512N können Entwickler
umfangreiche, wirtschaftliche Speicher-Arrays realisieren, ohne die
Nachteile von alternativen Lösungen mit vergleichbarer Speicherdichte
in Kauf nehmen zu müssen. Im Gegensatz zu NAND-Speicher-
Lösungen bietet der Flash-Speicher S29GL512N ein vertrautes, einfach
handhabbares Memory-Mapped Interface, das das Systemdesign
vereinfacht und die Time-to-Market verkürzt. Das gängige,
anwenderfreundliche Interface macht zusätzliche Schnittstellendesigns
und die Entwicklung von neuen Software-Algorithmen überflüssig.
Ferner können Entwickler auf den Einsatz von zusätzlichen Schaltungen
zum Aufspüren von Fehlern (Error Detection), wie sie bei der NANDTechnologie
zur Verhinderung von Bit-Fehlern erforderlich sind, verzichten.

Advanced Sector Protection (ASP)
Bei modernen Elektronikprodukten, angefangen bei Mobiltelefonen und
Set-Top Kabelkonvertern über Automobilelektronik bis hin zu
Küchengeräten, ist ein zunehmender Vernetzungsgrad festzustellen. Um
der steigenden Nachfrage nach erhöhter Netzwerksicherheit gerecht zu
werden, enthält der Spansion Flash-Speicher S29GL512N Sektor-
Schutz- und Sicherheitsfunktionen auf mehreren Ebenen. Dieses
Leistungsmerkmal wird als Advanced Sector Protection (ASP)
bezeichnet. Mit den zahlreichen ASP-Sicherheitsfunktionen können
Entwickler eine “Virtuelle Festung” schaffen und ihrer Systeme vor nicht
autorisierten Zugriffen wie “Cloning”, “Hacking” und “Signal Fraud”
schützen.

Einfacher Migrationspfad
Die Spansion 512-MBit-Lösung ist das erste Mitglied einer neuen
Bausteinfamilie, die 512, 256 und 128 MBit große Flash-Speicher
enthält. Der 512-MBit-Speicher steht zunächst in der zweiten Generation
der 130-nm-MirrorBit-Technologie zur Verfügung. Die Migration dieses
Prozesses auf 110 nm ist geplant. In der 110-nm-Technologie sollen die
256- und 128-MBit-Versionen gefertigt werden. Die neue Bausteinfamilie
erweitert das Angebot an Flash-Speicher-Lösungen und lässt sich im
Vergleich zu den hochintegrierten MirrorBit-Produkten der ersten
Generation kostengünstiger produzieren. Die Kompatibilität zwischen
Spansion-Flash-Speichern mit 16 bis 512 MBit ist gewährleistet. Mit
diesen Produkten bieten die Spansion Flash-Speicher-Lösungen
Entwicklern und Herstellern die Möglichkeit, auf Flash-Speicher mit
anderen Kapazitäten umzusteigen und Kostenvorteile zu nutzen.

Verfügbarkeit
Muster des Flash-Speichers S29GL512N sind ab sofort verfügbar. Die
Bemusterung der Bausteine S29GL256N (256 MBit) und S29GL128N
(128 MBit) soll Mitte 2004 beginnen. Spansion Flash-Speicher,
einschließlich des Bausteins S29GL512N, sind von AMD und Fujitsu
erhältlich.

Produktunterstützung

• JTAG-Programmer sind ab sofort von Goepal, JTAG Technologies
  und Asset Intertech verfügbar; ab dem Spätjahr 2004 ist mit
  Unterstützung durch Produkten weiterer Hersteller zu rechnen.

• Unterstützung mit Programmern von BP Microsystems und Data IO
  ist für das vierte Quartal geplant.

• Das Spektrum an Spansion Software-Lösungen umfaßt Low Level
  Driver (LLD) und Enhanced Flash Driver (EFD) mit Support für
  VxWorks, QNX, Linux und WinCE (und Derivate), geplant für das
  erste Quartal 2004.

VHDL/Verilog, IBIS und Denali CAD Modelle sind ab September
verfügbar.

Preise
Bei einer Abnahme von 10.000 Stück wird der Baustein S29GL512N
zum Preis von 27,50 US $ angeboten.

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