KIOXIA und SanDisk stellen 3D-Flash-Speichertechnologie der nächsten Generation mit einer NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gbit/s vor​

(Auszug aus der Pressemitteilung)

KIOXIA Corporation und SanDisk Corporation haben eine hochmoderne 3D-Flash-Speichertechnologie entwickelt, die mit einer NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gbit/s, überlegener Energieeffizienz und erhöhter Dichte neue Maßstäbe in der Branche setzt.

Die innovative Technologie wurde auf der ISSCC 2025, der International Solid-State Circuits Conference, vorgestellt und wird im Zusammenspiel mit der zukunftsweisenden CBA-Technologie1 (CMOS directly Bonded to Array) der beiden Unternehmen eingesetzt. Sie nutzt einen der neuesten Schnittstellenstandards, Toggle DDR6.0 für NAND-Flash-Speicher, sowie das SCA-Protokoll2 (Separate Command Address), eine neuartige Eingabemethode für Befehle und Speicheradressen, und die PI-LTT-Technologie3 (Power Isolated Low-Tapped Termination), die maßgeblich zur weiteren Reduzierung des Energieverbrauchs beiträgt.

Durch die Nutzung dieser einzigartigen Technologie erwarten die Unternehmen, dass der neue 3D-Flash-Speicher die NAND-Schnittstellengeschwindigkeit im Vergleich zu ihrem derzeit in Massenproduktion befindlichen 3D-Flash-Speicher der 8. Generation um 33 Prozent erhöht und 4,8 Gbit/s erreicht. Die Technologie verbessert zudem die Energieeffizienz bei der Ein- und Ausgabe von Daten. Sie reduziert den Stromverbrauch um 10 Prozent bei der Eingabe und um 34 Prozent bei der Ausgabe und vereint somit hohe Leistung mit niedrigem Energieverbrauch. Bei der Vorstellung des 3D-Flash-Speichers erklärten die Unternehmen auch, dass eine Erhöhung der Anzahl der Layer mit Speicherzellen auf 332 und ein optimiertes Layout für eine höhere planare Dichte die Bitdichte um insgesamt 59 Prozent erhöht.

„Neben der steigenden Nachfrage nach einer höheren Energieeffizienz wird in Rechenzentren das Datenvolumen massiv zunehmen, angetrieben durch neue KI-gestützte Anwendungen. Zusätzlich erhöhen komplexe Prozesse wie Inferencing am Edge und der Einsatz von Transfer-Learning-Techniken die Anforderungen an die Speicherinfrastruktur“, erläutert Axel Störmann, VP and Chief Technology Officer of Memory and SSD Products bei KIOXIA Europe. „KIOXIA arbeitet weiterhin an den Grundlagen, um diese Speicheranforderungen – höhere Geschwindigkeiten, größere Kapazität und geringerer Stromverbrauch – auch in Zukunft zu erfüllen.“

Alper Ilkbahar, SVP of Global Strategy and Technology bei SanDisk, ergänzt: „Durch die Fortschritte bei der KI-Entwicklung werden die Anforderungen der Kunden an Speicher immer vielfältiger. Mit unserer innovativen CBA-Technologie wollen wir Produkte auf den Markt bringen, die eine optimale Kombination aus Kapazität, Geschwindigkeit, Leistung und Kapitaleffizienz bieten und die Anforderungen von Kunden über alle Marktsegmente hinweg erfüllen.“

KIOXIA und SanDisk präsentierten auch die Pläne für den kommenden 3D-Flash-Speicher der 9. Generation. Durch ihre einzigartige CBA-Technologie sind die Unternehmen in der Lage, die neue CMOS-Technologie mit der bestehenden Speicherzellen-Technologie zu kombinieren, um kapitaleffiziente, leistungsstarke und energieeffiziente Produkte zu liefern. Beide Unternehmen bleiben weiterhin bestrebt, hochmoderne Flash-Speicher-Technologien zu entwickeln, maßgeschneiderte Lösungen für die Anforderungen ihrer Kunden anzubieten und so zur Weiterentwicklung der digitalen Gesellschaft beizutragen.

Anmerkungen

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